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深圳市源美佳成电子有限公司
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产品信息
类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C：8 毫欧 @ 62A, 10V
漏*源*电压(Vdss)：55V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C：110A
Id 时的 Vgs(th)（*大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：146nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：3247pF @ 25V
功率 - *大：200W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 (直引线)
包装：管件
供应商设备封装：TO-220AB
其它名称：*IRF3205PBF